BD139 Single Bipolar Transistor (BJT) NPN 80V 1.25W 1.5A 250 hFE
BD139 Single Bipolar Transistor (BJT) NPN 80V 1.25W 1.5A 250 hFE
- Produit SKU : CZ741
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- Le BD139 de STMicroelectronics est un transistor basse tension complémentaire NPN traversant dans un boîtier TO-126 (SOT-32). Cet appareil fabriqué en technologie planaire épitaxiale. Utilisé pour les amplificateurs et pilotes audio, utilisant des circuits complémentaires ou quasi complémentaires.
- La tension collecteur-émetteur (Vce) est de 80V. Le courant du collecteur (Ic) est de 1,5 A
- La dissipation de puissance (Pd) est de 12,5 W. Tension de saturation collecteur-émetteur de 500 mV à un courant de collecteur de 0,5 A.
- Gain de courant CC (hFE) de 25 à un courant de collecteur de 0,5 A. Plage de température de jonction de fonctionnement à partir de 150°C.
- Le forfait comprend: 5 x BD139
- Le BD139 de STMicroelectronics est un transistor basse tension complémentaire NPN traversant dans un boîtier TO-126 (SOT-32). Cet appareil fabriqué en technologie planaire épitaxiale. Utilisé pour les amplificateurs et pilotes audio, utilisant des circuits complémentaires ou quasi complémentaires.
- La tension collecteur-émetteur (Vce) est de 80V. Le courant du collecteur (Ic) est de 1,5 A
- La dissipation de puissance (Pd) est de 12,5 W. Tension de saturation collecteur-émetteur de 500 mV à un courant de collecteur de 0,5 A.
- Gain de courant CC (hFE) de 25 à un courant de collecteur de 0,5 A. Plage de température de jonction de fonctionnement à partir de 150°C.
- Le forfait comprend: 5 x BD139