Optocoupleur DIP-6 Phototransistor d’origine 4N35
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Optocoupleur DIP-6 Phototransistor d’origine 4N35

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Optocoupleur DIP-6 Phototransistor d'origine 4N35

Type 4N35

Boîtier DIP-6

Fabricant Vishay

Abrév. fab. VIS

U<sub>F</sub> typ. 1.2 V

I<sub>F</sub> 50 mA

Tension de blocage U(R) 6 V
Canaux 1

Type d'entrée DC

Type de sortie Transistor

Tension d'isolation 5000 V RMS

Température de fonctionnement (min.) +100 °C

Température de fonctionnement (max.) -30 °C

Type de montage trou traversant

Tension directe U(F) max. 1.5 V

Temps de montée 4 µs

Temps de descente 3 µs

Sortie électrique/canal 50 mA

Ligne de fuite 7 mm

P <sub>tot</sub> 70 mW

Tension de sortie (max.) 80 V

Vitesse de transfert du courant (min.) 80 %

Taux de transfert de courant (min) - Référence 5 mA

Rapport de transfert de courant (max.) 160 %

Saturation VCE (max.) 200 mV

I<sub>C</sub> 100 mA

Conforme à la norme RoHS oui

Optocoupleur DIP-6 Phototransistor d'origine 4N35

Type 4N35
Boîtier DIP-6
Fabricant Vishay
Abrév. fab. VIS
U<sub>F</sub> typ. 1.2 V
I<sub>F</sub> 50 mA
Tension de blocage U(R) 6 V
Canaux 1
Type d'entrée DC
Type de sortie Transistor
Tension d'isolation 5000 V RMS
Température de fonctionnement (min.) +100 °C
Température de fonctionnement (max.) -30 °C
Type de montage trou traversant
Tension directe U(F) max. 1.5 V
Temps de montée 4 µs
Temps de descente 3 µs
Sortie électrique/canal 50 mA
Ligne de fuite 7 mm
P <sub>tot</sub> 70 mW
Tension de sortie (max.) 80 V
Vitesse de transfert du courant (min.) 80 %
Taux de transfert de courant (min) - Référence 5 mA
Rapport de transfert de courant (max.) 160 %
Saturation VCE (max.) 200 mV
I<sub>C</sub> 100 mA
Conforme à la norme RoHS oui

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